Operation and modeling of the MOS transistor / Yannis P. Tsividis
(McGraw-Hill series in electrical engineering ; VLSI, electronics, and electronic circuits)
データ種別 | 図書 |
---|---|
出版者 | New York : McGraw-Hill |
出版年 | c1987 |
大きさ | xx, 505 p. : ill. ; 25 cm |
所蔵情報を非表示
配架場所 | 巻 次 | 請求記号 | 資料番号 | 状 態 | コメント | 予約 | 文庫区分 | 教員指定/教員執筆/多読 | 仮想書架 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
理工学部 電気系 |
|
549.8||T18 | 872018646 |
|
|
|
書誌詳細を非表示
書誌ID | BB00010344 |
---|---|
本文言語 | 英語 |
一般注記 | Includes bibliographies |
著者標目 | *Tsividis, Yannis |
件 名 | LCSH:Metal oxide semiconductors -- Mathematical models 全ての件名で検索 |
分 類 | LCC:TK7871.99.M44 DC19:621.3815/22 NDC7:549.82 |
巻冊次 | ISBN:007065381X RefWorks出力(各巻) |
NCID | BA00511105 |
目次・あらすじ
類似資料
この資料の利用統計
このページへのアクセス回数:1回
※2020年8月16日以降
全貸出数:2回
(1年以内の貸出:0回)
※2000年4月1日以降