Gas source molecular beam epitaxy : growth and properties of phosphorus containing III-V heterostructures / M.B. Panish, H. Temkin
(Springer series in materials science ; v. 26)
| データ種別 | 図書 |
|---|---|
| 出版者 | Berlin ; New York : Springer |
| 出版年 | c1993 |
| 大きさ | xiv, 428 p. : ill. ; 25 cm |
所蔵情報を非表示
| 配架場所 | 巻 次 | 請求記号 | 資料番号 | 状 態 | コメント | 予約 | 文庫区分 | 教員指定/教員執筆/多読 | 仮想書架 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 理工学部 化学系 |
|
549.8||P418 | 976200042 |
|
|
|
書誌詳細を非表示
| 書誌ID | BB00265671 |
|---|---|
| 本文言語 | 英語 |
| 一般注記 | Includes bibliographical references and index |
| 著者標目 | *Panish, M. B. Temkin, H. |
| 件 名 | LCSH:Molecular beam epitaxy LCSH:Gallium arsenide semiconductors |
| 分 類 | LCC:QC611.6.M64 DC20:621.3815/2 |
| 巻冊次 | :us ; ISBN:038756540X RefWorks出力（各巻） :gw ; ISBN:354056540X RefWorks出力（各巻） |
| NCID | BA21664090 |
目次・あらすじ
類似資料
この資料の利用統計
このページへのアクセス回数：2回
※2020年8月16日以降
全貸出数：1回
(1年以内の貸出：0回)
※2000年4月1日以降