ハラ, ヒサシ
原, 央
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| 著者の属性 | 個人 |
|---|---|
| 一般注記 | 東京芝浦電気入社。超LSI研究所研究第一部長 EDSRC:MOSトランジスタの動作理論 / 原央, 名取研二, 堀内重治共著(近代科学社, 1980.9):奥付(原央:はら・ひさし:昭和13年生.昭和37年,横浜国立大学電気工学科卒.昭和39年,東京大学電子工学科修士課程卒.同年,東京芝浦電気(株)入社.現在,株式会社東芝超LSI研究所研究第一部長.工学博士) |
| 生没年等 | 1938 |
| コード類 | 典拠ID=AU00041984 NCID=DA00849593 |
| 1 | ULSIプロセス技術 / 原央編 東京 : 培風館 , 1997.6 |
| 2 | MOS集積回路の基礎 / 原央編著 東京 : 近代科学社 , 1992.5 |
| 3 | MOSトランジスタの動作理論 / 原央, 名取研二, 堀内重治共著 東京 : 近代科学社 , 1980.9 |
| 4 | 超LSI入門シリーズ / 武石喜幸, 原央監修 東京 : 近代科学社 |